Луцас123 пише "У ономе што је вероватно да ће бити снажан ривал НАНД флеш меморије, ИБМ-а је данас саопштио да је био у стању да успешно чува више од једног бита података по ћелији у стабилнији нон-волатиле меморију зове фазе промена меморије (ПЦМ ) За разлику од НАНД Претходно, ПЦМ није могао да се суочи са блицем због малог капацитета бодова ПЦМ не захтева да подаци буду избрисани пре него што нови подаци је написано да је, што смањује пишу појачања. или троше и то је 100 пута. пишу перформансе блица. ИБМ-истраживачи кажу да планирају да дозволе технологију за меморије произвођачима, уместо да их производе сами. "
Прочитајте више ове приче на Сласхдот.
Няма коментари:
Публикуване на коментар